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SEMITRANS 4 Modules IGBT:
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Acheteur
Ingénieur
Fabricant
Configuration IGBT
Polarité transistor
Courant Collecteur Continu
Courant de collecteur DC
Tension de saturation Emetteur Collecteur
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
Température de jonction Tj Max.
Température d'utilisation Max.
Type de boîtier de transistor
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
Borne IGBT
Tension Collecteur Emetteur Max
Technologie IGBT
Montage transistor
Gamme de produit
1
Emballage
Filtre(s) appliqué(s)
1 Filtre(s) sélectionné(s)
| Comparer | Prix pour | Quantité | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Pièce | 1+ 378,990 € 5+ 375,520 € | Min : 1 / Mult : 1 | Simple | Canal N | 830A | 830A | 2V | 2V | 150°C | 150°C | Module | 1.7kV | Goujon | 1.7kV | IGBT 3 [Trench] | Panneau | SEMITRANS 4 | |||||
Pièce | 1+ 183,700 € 5+ 182,020 € | Min : 1 / Mult : 1 | Simple | Canal N | 616A | 616A | 1.8V | 1.8V | 175°C | 175°C | Module | 1.2kV | Goujon | 1.2kV | IGBT 4 [Trench] | Panneau | SEMITRANS 4 | |||||
