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0.235ohm FET Nitrure de gallium (GaN):
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Acheteur
Ingénieur
Fabricant
Tension Drain-Source Vds
Courant de drain Id
Résistance Drain-Source à l'état-ON
Charge de porte Typique
Type de boîtier de transistor
Montage transistor
Nbre de broches
Emballage
Filtre(s) appliqué(s)
1 Filtre(s) sélectionné(s)
| Comparer | Prix pour | Quantité | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées | 1+ 3,740 € 10+ 3,140 € 100+ 2,670 € 500+ 2,410 € 1000+ 2,130 € | Min : 1 / Mult : 1 | 700V | 8.8A | 0.235ohm | 1.6nC | PDFN | Montage en surface | 8Broche(s) | |||||
Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées | 1+ 3,800 € 10+ 3,190 € 100+ 2,720 € 500+ 2,450 € 1000+ 2,160 € | Min : 1 / Mult : 1 | 700V | 8.8A | 0.235ohm | 1.6nC | PDFN | Montage en surface | 8Broche(s) | |||||
