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8A Transistors MOSFET Double:
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Acheteur
Ingénieur
Fabricant
Type de canal
Tension Drain-Source Vds
Tension Drain Source Vds, Canal N
Courant de drain Id
Tension drain source Vds, Canal P
Courant de drain continu Id, Canal N
Courant de drain continu Id, Canal P
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
Type de boîtier de transistor
Nbre de broches
Dissipation de puissance Canal P
Température d'utilisation Max.
Gamme de produit
Qualification
Emballage
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| Comparer | Prix pour | Quantité | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement | 100+ 0,837 € 500+ 0,666 € 1000+ 0,615 € 5000+ 0,611 € | Min : 100 / Mult : 1 | Canal N | 60V | 60V | 8A | 60V | 8A | 8A | 0.021ohm | 0.021ohm | SOIC | 8Broche(s) | 3.2W | 3.2W | 175°C | - | AEC-Q101 | |||||
Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement | 100+ 0,672 € 500+ 0,504 € 1000+ 0,465 € 5000+ 0,379 € | Min : 100 / Mult : 5 | Canal N | 20V | 20V | 8A | 20V | 8A | 8A | 0.015ohm | 0.015ohm | NSOIC | 8Broche(s) | 3.1W | 3.1W | 150°C | - | - | |||||
Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement | 100+ 0,470 € 500+ 0,339 € 1000+ 0,306 € 5000+ 0,243 € | Min : 100 / Mult : 1 | Canal N | 60V | 60V | 8A | - | 8A | - | 0.029ohm | - | SOIC | 8Broche(s) | 3.6W | - | 150°C | TrenchFET Gen IV Series | - | |||||
Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement | 100+ 0,849 € 500+ 0,801 € 1000+ 0,753 € 5000+ 0,705 € | Min : 100 / Mult : 1 | Canal N | 30V | 30V | 8A | 30V | 8A | 8A | 0.01ohm | 0.01ohm | SOIC | 8Broche(s) | 3.9W | 3.9W | 175°C | Série TrenchFET | AEC-Q101 | |||||
