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Transistors MOSFET Double:
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Acheteur
Ingénieur
Fabricant
Polarité transistor
Type de canal
Tension Drain-Source Vds
Tension Drain Source Vds, Canal N
Courant de drain Id
Résistance Drain-Source à l'état-ON
Résistance Rds(on)
Courant de drain continu Id, Canal N
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
Tension de test Rds(on)
Dissipation de puissance Pd
Tension de seuil Vgs Max
Type de boîtier de transistor
Dissipation de puissance
Nbre de broches
Dissipation de puissance Canal P
Température d'utilisation Max.
Emballage
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| Comparer | Prix pour | Quantité | ||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES INC. | Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement | 100+ 1,700 € 500+ 1,370 € 1000+ 1,290 € | Min : 100 / Mult : 1 | - | Canal N | 100V | 100V | 6A | 0.025ohm | - | 6A | 0.033ohm | 10V | - | 2.5V | DFN5045 | 900mW | 12Broche(s) | 900mW | 150°C | ||||
DIODES INC. | Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées | 1+ 2,540 € 10+ 1,890 € 100+ 1,700 € 500+ 1,370 € 1000+ 1,290 € | Min : 1 / Mult : 1 | Canal N | Canal N | 100V | 100V | 6A | 0.025ohm | 0.025ohm | 6A | 0.033ohm | 10V | 900mW | 2.5V | DFN5045 | 900mW | 12Broche(s) | 900mW | 150°C | ||||
