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BSM25GD120DN2BOSA1
Module IGBT, Pont complet triphasé, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSM25GD120DN2BOSA1
Code Commande1496948
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Egalement appeléBSM25GD120DN2, SP000100370
Fiche technique
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSM25GD120DN2BOSA1
Code Commande1496948
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Egalement appeléBSM25GD120DN2, SP000100370
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Configuration IGBTPont complet triphasé
Courant Collecteur Continu35A
Courant de collecteur DC35A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)3V
Tension de saturation Emetteur Collecteur3V
Dissipation de puissance Pd200W
Dissipation de puissance200W
Température de jonction Tj Max.125°C
Température d'utilisation Max.125°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Type de boîtier de transistorEconoPACK
Borne IGBTGoujon
Nbre de broches17Broche(s)
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Technologie IGBT-
Montage transistorPanneau
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
Le BSM25GD120DN2 est un module IGBT de puissance avec des diodes de roue libre rapides et une base métallique isolée.
- Pont complet triphasé
- Temps de montée 130ns
- Temps de descente 100ns
- Tension Vge (Gate-Emitter) ±20V
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Courant Collecteur Continu
35A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
3V
Dissipation de puissance Pd
200W
Température de jonction Tj Max.
125°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Borne IGBT
Goujon
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Configuration IGBT
Pont complet triphasé
Courant de collecteur DC
35A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
3V
Dissipation de puissance
200W
Température d'utilisation Max.
125°C
Type de boîtier de transistor
EconoPACK
Nbre de broches
17Broche(s)
Technologie IGBT
-
Gamme de produit
Compute Module 3+ Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.18
Traçabilité des produits