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IRF2804STRLPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 75 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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| 10+ | 2,010 € |
| 100+ | 1,430 € |
| 500+ | 1,410 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF2804STRLPBF
Code Commande2725883
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001561584
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id75A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.002ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance300W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
75A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
300W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.002ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IRF2804STRLPBF
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001698
Traçabilité des produits