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MT25QL512ABB8E12-0SIT
Mémoire Flash, NON-OU Série, 512 Mbit, 128M x 4bits, SPI, TBGA, 24 Broche(s)
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FabricantMICRON
Réf. FabricantMT25QL512ABB8E12-0SIT
Code Commande3530751
Gamme de produit3V Serial NOR Flash Memories
Fiche technique
225 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 6,320 € |
| 10+ | 5,880 € |
| 25+ | 5,700 € |
| 50+ | 5,570 € |
| 100+ | 5,430 € |
| 250+ | 5,260 € |
| 500+ | 5,130 € |
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Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT25QL512ABB8E12-0SIT
Code Commande3530751
Gamme de produit3V Serial NOR Flash Memories
Fiche technique
Type de mémoire flashNON-OU Série
Densité de mémoire512Mbit
Configuration mémoire128M x 4bits
InterfacesSPI
IC Boîtier/PaquetTBGA
Nbre de broches24Broche(s)
Fréquence d'horloge Max.133MHz
Temps d'accès-
Tension, alimentation min.2.7V
Tension d'alimentation Max.3.6V
Tension d'alimentation nominale3V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.85°C
Gamme de produit3V Serial NOR Flash Memories
Aperçu du produit
MT25QL512ABB8E12-0SIT is a 3V, multiple I/O, sector erase, high-performance multiple input/output serial NOR flash memory device. It features a high-speed SPI-compatible bus interface, execute-in-place (XIP) functionality, advanced write protection mechanisms, and extended address access. Innovative, high-performance, dual, and quad input/output commands enable double or quadruple the transfer bandwidth for READ and PROGRAM operations.
- Voltage range from 2.7 to 3.6V, 512Mb (64MB) density, 1 die/1 S# stack, 2nd generation
- Die Rev. B, RESET# and HOLD# pin configuration, 64KB sectors, 4KB and 32KB sub-sectors size
- Standard default security
- SPI-compatible serial bus interface, single and double transfer rate (STR/DTR)
- 133MHz (MAX) for all protocols in STR, 90MHz (MAX) for all protocols in DTR
- Dual/quad I/O commands for increased throughput up to 90MB/s
- Extended I/O protocol, dual I/O protocol, quad I/O protocol, minimum 100,000 ERASE cycles per sector
- Execute-in-place (XIP), PROGRAM/ERASE SUSPEND operations, data retention: 20 years (TYP)
- Volatile and non-volatile configuration settings, software reset, reset pin available
- 24-ball T-PBGA package, operating temperature range from -40°C to +85°C
Spécifications techniques
Type de mémoire flash
NON-OU Série
Configuration mémoire
128M x 4bits
IC Boîtier/Paquet
TBGA
Fréquence d'horloge Max.
133MHz
Tension, alimentation min.
2.7V
Tension d'alimentation nominale
3V
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Densité de mémoire
512Mbit
Interfaces
SPI
Nbre de broches
24Broche(s)
Temps d'accès
-
Tension d'alimentation Max.
3.6V
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
85°C
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002268