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MT62F512M32D1DS-023 FAAT:E
DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32bits, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Broche(s)
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Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT62F512M32D1DS-023 FAAT:E
Code Commande4659398
Type DRAMMobile LPDDR5X
Densité de mémoire16Gbit
Configuration mémoire512M x 32bits
Fréquence d'horloge Max.4.266GHz
IC Boîtier/PaquetTFBGA
Nbre de broches315Broche(s)
Tension d'alimentation nominale1.8V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.105°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type DRAM
Mobile LPDDR5X
Configuration mémoire
512M x 32bits
IC Boîtier/Paquet
TFBGA
Tension d'alimentation nominale
1.8V
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
-
Densité de mémoire
16Gbit
Fréquence d'horloge Max.
4.266GHz
Nbre de broches
315Broche(s)
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
105°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Singapore
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Singapore
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001