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PSC0665B1Z
Diode Schottky carbure de silicium, Une, 650 V, 6 A, 14 nC, Bare DIE
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 2,270 € |
| 10+ | 1,620 € |
| 100+ | 1,240 € |
| 500+ | 1,050 € |
| 1000+ | 1,030 € |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSC0665B1Z
Code Commande4574119
Fiche technique
Gamme de produit-
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen6A
Charge Capacitive Totale14nC
Type de boîtier de diodeBare DIE
Nbre de broches2 broches
Température de fonctionnement max..175°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Gamme de produit
-
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
14nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Montage en surface
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
6A
Type de boîtier de diode
Bare DIE
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
0
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits