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FDMA1024NZ

Name: MOSFET double, Canal N, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
Brand: ONSEMI
SKU: 2101471
Availability: InStock

MOSFET double, Canal N, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm

Date/Lot Code

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FabricantONSEMI

Réf. FabricantFDMA1024NZ

Code Commande2101471

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Informations produit

FabricantONSEMI

Réf. FabricantFDMA1024NZ

Code Commande2101471

Fiche technique

Data Sheet

Type de canalCanal N

Tension Drain Source Vds, Canal N20V

Tension drain source Vds, Canal P20V

Courant de drain continu Id, Canal N5A

Courant de drain continu Id, Canal P5A

Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.037ohm

Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.037ohm

Type de boîtier de transistorµFET

Nombre de broches6Broche(s)

Dissipation de puissance Canal P700mW

Dissipation de puissance, Canal P700mW

Température de fonctionnement max..150°C

Gamme de produit-

Qualification-

MSLMSL 1 - Illimité

SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Aperçu du produit

Le FDMA1024NZ est un PowerTrench® MOSFET double canal N conçu spécifiquement comme une solution monobloc pour commuter des charges de batterie dans un combiné cellulaire et d'autres applications ultra-portables. Il dispose de deux MOSFET, canal N indépendants avec une faible résistance à l'état passant pour des pertes de conduction minimales. Lorsqu'il est connecté dans la configuration de source commune typique, un flux de courant bidirectionnel est possible. Le boîtier mince MicroFET offre des performances thermiques exceptionnelles pour sa taille physique et est bien adapté aux applications en mode linéaire. Il convient pour une utilisation avec un commutateur de bande de base, un commutateur de charge et les applications de conversion DC-DC.

Bas Profil
Sans halogène
Tension grille-source ±8V
Courant Drain continu 5A
Courant de Drain pulsé 6A

Spécifications techniques

Type de canal

Canal N

Tension drain source Vds, Canal P

20V

Courant de drain continu Id, Canal P

Résistance Etat ON Drain Source, Canal P

0.037ohm

Nombre de broches

6Broche(s)

Dissipation de puissance, Canal P

700mW

Gamme de produit

MSL

MSL 1 - Illimité

Tension Drain Source Vds, Canal N

20V

Courant de drain continu Id, Canal N

Résistance Etat ON Drain Source, Canal N

0.037ohm

Type de boîtier de transistor

µFET

Dissipation de puissance Canal P

700mW

Température de fonctionnement max..

150°C

Qualification

SVHC

No SVHC (27-Jun-2024)

Documents techniques (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Législation et Questions environnementales

Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

N° de tarif :85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme RoHS :Oui

RoHS

Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui

RoHS

SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)

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Certificat de conformité du produit

Poids (kg) :.000049

Traçabilité des produits