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NSVBAT54HT1G
Diode Schottky faible signal, Une, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
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| Quantité | |
|---|---|
| 5+ | 0,234 € |
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| 100+ | 0,0662 € |
| 500+ | 0,056 € |
| 1000+ | 0,0458 € |
| 5000+ | 0,037 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNSVBAT54HT1G
Code Commande2724021
Fiche technique
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive30V
Courant direct moyen200mA
Tension directe max800mV
Courant de surtension vers l'avant600mA
Température de fonctionnement max..150°C
Type de boîtier de diodeSOD-323
Nombre de broches2Broche(s)
Temps de redressement en inverse5ns
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
200mA
Courant de surtension vers l'avant
600mA
Type de boîtier de diode
SOD-323
Temps de redressement en inverse
5ns
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension inverse crête répétitive
30V
Tension directe max
800mV
Température de fonctionnement max..
150°C
Nombre de broches
2Broche(s)
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NSVBAT54HT1G
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000833
Traçabilité des produits