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NVMFD5C478NT1G
MOSFET double, Canal N, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFD5C478NT1G
Code Commande2895745
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N40V
Tension drain source Vds, Canal P40V
Courant de drain continu Id, Canal N27A
Courant de drain continu Id, Canal P27A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.014ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.014ohm
Type de boîtier de transistorÁDFN
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P23W
Dissipation de puissance, Canal P23W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
40V
Courant de drain continu Id, Canal P
27A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.014ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
23W
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
40V
Courant de drain continu Id, Canal N
27A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.014ohm
Type de boîtier de transistor
ÁDFN
Dissipation de puissance Canal P
23W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits