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NVMFS4C302NT1G
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 241 A, 0.00115 ohm, DFN, Montage en surface
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
| Quantité | |
|---|---|
| 1500+ | 1,080 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 1500
Multiple: 1500
1.620,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS4C302NT1G
Code Commande3616643
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..30V
Courant de drain Id241A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.00115ohm
Type de boîtier de transistorDFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.2V
Dissipation de puissance115W
Nombre de broches8Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
241A
Type de boîtier de transistor
DFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
115W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Tension Vds max..
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.00115ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.2V
Nombre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits