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PD55008-E
Transistor FET RF, LdmoST, Canal N, 40 V, 4 A, 52.8 W, PowerSO-10RF
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|---|---|
| 1+ | 16,110 € |
| 5+ | 14,520 € |
| 10+ | 12,920 € |
| 50+ | 10,220 € |
| 100+ | 10,110 € |
| 250+ | 10,000 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantPD55008-E
Code Commande2849641
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id4A
Dissipation de puissance52.8W
Fréquence d'utilisation Min.-
Fréquence d'utilisation Max.-
Type de boîtier de transistorPowerSO-10RF
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.165°C
Type de canalCanal N
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
40V
Dissipation de puissance
52.8W
Fréquence d'utilisation Max.
-
Nbre de broches
3Broche(s)
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Courant de drain Id
4A
Fréquence d'utilisation Min.
-
Type de boîtier de transistor
PowerSO-10RF
Température d'utilisation Max.
165°C
Montage transistor
Montage en surface
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.009495
Traçabilité des produits