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CSD19537Q3T
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, VSON, Montage en surface
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 1,640 € |
| 10+ | 1,120 € |
| 100+ | 0,698 € |
| 500+ | 0,586 € |
| 1000+ | 0,560 € |
| 5000+ | 0,549 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,64 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantTEXAS INSTRUMENTS
Réf. FabricantCSD19537Q3T
Code Commande3125064
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id50A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0145ohm
Type de boîtier de transistorVSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance83W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
50A
Type de boîtier de transistor
VSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
83W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0145ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000363
Traçabilité des produits