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1SS352,H3F(T
Diode Schottky faible signal, Une, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 1 A, 150 °C
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FabricantTOSHIBA
Réf. Fabricant1SS352,H3F(T
Code Commande3872192
Egalement appelé1SS352,H3F ,1SS352,H3F
Fiche technique
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| Quantité | |
|---|---|
| 5+ | 0,496 € |
| 50+ | 0,316 € |
| 100+ | 0,142 € |
| 500+ | 0,132 € |
| 1500+ | 0,122 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. Fabricant1SS352,H3F(T
Code Commande3872192
Egalement appelé1SS352,H3F ,1SS352,H3F
Fiche technique
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive85V
Courant direct moyen100mA
Tension directe max1.2V
Courant de surtension vers l'avant1A
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de diodeSOD-323
Nbre de broches2Broche(s)
Temps de redressement en inverse4ns
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
100mA
Courant de surtension vers l'avant
1A
Type de boîtier de diode
SOD-323
Temps de redressement en inverse
4ns
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Tension inverse crête répétitive
85V
Tension directe max
1.2V
Température d'utilisation Max.
150°C
Nbre de broches
2Broche(s)
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits