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SSM3J168F,LF(T
MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 400 mA, 1.55 ohm, SOT-346, Montage en surface
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J168F,LF(T
Code Commande4415900
Egalement appeléSSM3J168F, SSM3J168F,LF
Fiche technique
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| Quantité | |
|---|---|
| 5+ | 0,391 € |
| 10+ | 0,254 € |
| 100+ | 0,167 € |
| 500+ | 0,128 € |
| 1000+ | 0,0924 € |
| 5000+ | 0,0848 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J168F,LF(T
Code Commande4415900
Egalement appeléSSM3J168F, SSM3J168F,LF
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Vds max..60V
Courant de drain Id400mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.55ohm
Type de boîtier de transistorSOT-346
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance600mW
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification0
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
400mA
Type de boîtier de transistor
SOT-346
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
600mW
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
0
Tension Vds max..
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.55ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000011
Traçabilité des produits