Imprimer la page
SSM6N35AFE,LF(T
MOSFET double, Canal double N, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM6N35AFE,LF(T
Code Commande4415948
Egalement appeléSSM6N35AFE, SSM6N35AFE,LF
Fiche technique
Options de conditionnement
1.690 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | |
|---|---|
| 5+ | 0,200 € |
| 10+ | 0,118 € |
| 100+ | 0,0753 € |
| 500+ | 0,0686 € |
| 1000+ | 0,0619 € |
| 5000+ | 0,0562 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
1,00 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM6N35AFE,LF(T
Code Commande4415948
Egalement appeléSSM6N35AFE, SSM6N35AFE,LF
Fiche technique
Type de canalCanal double N
Tension Drain Source Vds, Canal N20V
Tension drain source Vds, Canal P-
Courant de drain continu Id, Canal N250mA
Courant de drain continu Id, Canal P-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N1.1ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorSOT-563
Nombre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P250mW
Dissipation de puissance, Canal P-
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification0
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal double N
Tension drain source Vds, Canal P
-
Courant de drain continu Id, Canal P
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nombre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
-
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Tension Drain Source Vds, Canal N
20V
Courant de drain continu Id, Canal N
250mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
1.1ohm
Type de boîtier de transistor
SOT-563
Dissipation de puissance Canal P
250mW
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
0
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000003
Traçabilité des produits