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TK7A90E,S4X(S
MOSFET de puissance, Canal N, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-220SIS, Traversant
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK7A90E,S4X(S
Code Commande4173155
Egalement appeléTK7A90E, TK7A90E,S4X
Fiche technique
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 2,680 € |
| 10+ | 1,980 € |
| 100+ | 1,270 € |
| 500+ | 0,943 € |
| 1000+ | 0,811 € |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK7A90E,S4X(S
Code Commande4173155
Egalement appeléTK7A90E, TK7A90E,S4X
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds900V
Courant de drain Id7A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.6ohm
Type de boîtier de transistorTO-220SIS
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance45W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
7A
Type de boîtier de transistor
TO-220SIS
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
45W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
900V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.6ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0017
Traçabilité des produits