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SQ2351ES-T1_GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 3.2 A, 0.115 ohm, SOT-23, Montage en surface
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ2351ES-T1_GE3
Code Commande3470723
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id3.2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.115ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance2W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitTrenchFET
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Produits de remplacement pour SQ2351ES-T1_GE3
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
3.2A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
2W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.115ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000002
Traçabilité des produits