Pagina afdrukken
BFP420FH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, TSFP
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBFP420FH6327XTSA1
Ordercode2480666
Ook bekend alsBFP 420F H6327, SP000745268
Technische datasheet
Beschikbaar om te bestellen
Standaard levertijd fabrikant: 14 week(en)
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | 0,335 € |
| 50+ | 0,207 € |
| 100+ | 0,165 € |
| 500+ | 0,156 € |
| 1500+ | 0,149 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
1,68 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBFP420FH6327XTSA1
Ordercode2480666
Ook bekend alsBFP 420F H6327, SP000745268
Technische datasheet
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max4.5V
Transition Frequency25GHz
Power Dissipation210mW
Continuous Collector Current60mA
Transistor Case StyleTSFP
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE Min60hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The BFP 420F H6327 is a NPN wideband silicon Bipolar RF Transistor designed for mobile applications in which low power consumption is a key requirement. The typical transition frequency is approximately 25GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 4.5GHz in amplifier applications. The device is housed in a thin small flat plastic package with visible leads.
- General purpose low-noise transistor
- Based on Infineon ́s reliable very high volume 25GHz silicon bipolar technology
- Popular in discrete oscillators
- Thin, small and flat with visible leads
- Halogen-free
Toepassingen
Industrial, RF Communications, Power Management
Technische specificaties
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
25GHz
Continuous Collector Current
60mA
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
210mW
Transistor Case Style
TSFP
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000008
Producttraceerbaarheid