Pagina afdrukken
FF4000UXTR33T2M1BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 500 A, 3.3 kV, 0.0048 ohm, Module
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFF4000UXTR33T2M1BPSA1
Ordercode4568148
ProductreeksXHP 2 Series
Ook bekend alsFF4000UXTR33T2M1, SP005965418
Technische datasheet
Beschikbaar om te bestellen
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 3.385,000 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
3.385,00 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFF4000UXTR33T2M1BPSA1
Ordercode4568148
ProductreeksXHP 2 Series
Ook bekend alsFF4000UXTR33T2M1, SP005965418
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id500A
Drain Source Voltage Vds3.3kV
Drain Source On State Resistance0.0048ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins15Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5.55V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeXHP 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 is an XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET half-bridge module with .XT interconnection technology for decarbonizing transportation. Applications include energy storage systems, hydrogen electrolysis, photovoltaic, and traction, high-power converters, and high-frequency switching applications.
- CoolSiC™ MOSFET 3.3KV, Integrated body diode, XHP™ 2 housing
- Energy efficiency, high power density, enhanced lifetime
- High creepage and clearance distances, AlN substrate with low thermal resistance
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Drain-source voltage is 3300V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 500A at Tvj = 175 °C, VGS = 15V, TC = 35°C
- Drain-source on-resistance is 3.8mohm at VGS = 15V, Tvj = 25°C, D = 500A
- AG-XHP2K33 package
- Temperature under switching conditions range from -40 to 175°C
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
500A
Drain Source On State Resistance
0.0048ohm
No. of Pins
15Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.55V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
3.3kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
20mW
Product Range
XHP 2 Series
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:N.n.b.
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid