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FF4000UXTR33T2M1BPSA1
MOSFET en carbure de silicium, Demi-pont, Canal N, 500 A, 3.3 kV, 0.0048 ohm, Module
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF4000UXTR33T2M1BPSA1
Code Commande4568148
Gamme de produitXHP 2 Series
Egalement appeléFF4000UXTR33T2M1, SP005965418
Fiche technique
Disponible sur commande
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 3.385,000 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
3.385,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF4000UXTR33T2M1BPSA1
Code Commande4568148
Gamme de produitXHP 2 Series
Egalement appeléFF4000UXTR33T2M1, SP005965418
Fiche technique
Configuration du module MOSFETDemi-pont
Type de canalCanal N
Courant de drain Id500A
Tension Vds max..3.3kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0048ohm
Type de boîtier de transistorModule
Nombre de broches15Broche(s)
Tension de test Rds(on)15V
Tension de seuil Vgs Max5.55V
Dissipation de puissance20mW
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitXHP 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 is an XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET half-bridge module with .XT interconnection technology for decarbonizing transportation. Applications include energy storage systems, hydrogen electrolysis, photovoltaic, and traction, high-power converters, and high-frequency switching applications.
- CoolSiC™ MOSFET 3.3KV, Integrated body diode, XHP™ 2 housing
- Energy efficiency, high power density, enhanced lifetime
- High creepage and clearance distances, AlN substrate with low thermal resistance
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Drain-source voltage is 3300V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 500A at Tvj = 175 °C, VGS = 15V, TC = 35°C
- Drain-source on-resistance is 3.8mohm at VGS = 15V, Tvj = 25°C, D = 500A
- AG-XHP2K33 package
- Temperature under switching conditions range from -40 to 175°C
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Demi-pont
Courant de drain Id
500A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0048ohm
Nombre de broches
15Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5.55V
Température de fonctionnement max..
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
3.3kV
Type de boîtier de transistor
Module
Tension de test Rds(on)
15V
Dissipation de puissance
20mW
Gamme de produit
XHP 2 Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits