Pagina afdrukken
IGC037S12S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGC037S12S1XTMA1
Ordercode4680817RL
Ook bekend alsIGC037S12S1, SP006027453
Technische datasheet
4.990 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 2,430 € |
| 500+ | 2,040 € |
| 1000+ | 1,740 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 150
Meerdere: 1
364,50 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGC037S12S1XTMA1
Ordercode4680817RL
Ook bekend alsIGC037S12S1, SP006027453
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id71A
Drain Source On State Resistance0.0037ohm
Typical Gate Charge10nC
No. of Pins6Pins
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
0.0037ohm
No. of Pins
6Pins
Continuous Drain Current Id
71A
Typical Gate Charge
10nC
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00001
Producttraceerbaarheid