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IGC037S12S1XTMA1
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGC037S12S1XTMA1
Code Commande4680817RL
Egalement appeléIGC037S12S1, SP006027453
Fiche technique
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| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 2,430 € |
| 500+ | 2,040 € |
| 1000+ | 1,740 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGC037S12S1XTMA1
Code Commande4680817RL
Egalement appeléIGC037S12S1, SP006027453
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds120V
Courant de drain Id71A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0037ohm
Charge de porte Typique10nC
Nbre de broches6Broche(s)
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
120V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0037ohm
Nbre de broches
6Broche(s)
Courant de drain Id
71A
Charge de porte Typique
10nC
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits