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IGC037S12S1XTMA1
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGC037S12S1XTMA1
Code Commande4680817
Gamme de produitCoolGaN Series
Egalement appeléIGC037S12S1, SP006027453
Fiche technique
3.920 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 4,250 € |
| 10+ | 3,050 € |
| 100+ | 2,430 € |
| 500+ | 2,040 € |
| 1000+ | 1,740 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGC037S12S1XTMA1
Code Commande4680817
Gamme de produitCoolGaN Series
Egalement appeléIGC037S12S1, SP006027453
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds120V
Courant de drain Id71A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0037ohm
Charge de porte Typique10nC
Type de boîtier de transistorTSON
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches6Broche(s)
Gamme de produitCoolGaN Series
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
120V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0037ohm
Type de boîtier de transistor
TSON
Nbre de broches
6Broche(s)
Qualification
0
Courant de drain Id
71A
Charge de porte Typique
10nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
CoolGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits