Pagina afdrukken
IPP042N03LGXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIPP042N03LGXKSA1
Ordercode1775621
Ook bekend alsIPP042N03L G, SP000680792
Technische datasheet
3.493 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
Beschikbaar tot einde voorraad
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 1,320 € |
| 10+ | 0,900 € |
| 100+ | 0,716 € |
| 500+ | 0,548 € |
| 1000+ | 0,489 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
1,32 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIPP042N03LGXKSA1
Ordercode1775621
Ook bekend alsIPP042N03L G, SP000680792
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance4200µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Alternatieven voor IPP042N03LGXKSA1
1 product gevonden
Productoverzicht
The IPP042N03L G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Logic level
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Avalanche rated
- Halogen-free, Green device
Toepassingen
Power Management, Motor Drive & Control, LED Lighting, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Consumer Electronics
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
79W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (4)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002
Producttraceerbaarheid