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IPP042N03LGXKSA1
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Traversant
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP042N03LGXKSA1
Code Commande1775621
Egalement appeléIPP042N03L G, SP000680792
Fiche technique
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| 10+ | 0,900 € |
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| 500+ | 0,548 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP042N03LGXKSA1
Code Commande1775621
Egalement appeléIPP042N03L G, SP000680792
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id80A
Résistance Drain-Source à l'état-ON4200µohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance79W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produits de remplacement pour IPP042N03LGXKSA1
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Aperçu du produit
L'IPP042N03L G est un MOSFET de puissance, canal N OptiMOS™ établit de nouvelles normes en matière de densité de puissance et d'efficacité énergétique Il est adapté aux besoins de gestion d'alimentation avec un comportement EMI amélioré, ainsi qu'une durée de vie accrue de la batterie. Il est disponible en configuration demi-pont.
- Augmentation de la durée de vie de la batterie
- Amélioration du comportement EMI rendant les réseaux d'amortisseurs externes obsolètes
- Économie d'espace
- Réduire les pertes de puissance
- Technologie optimisée pour les convertisseurs DC-DC
- Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles.
- Niveau logique
- Excellente charge de grille x produit RDS (ON) (FOM)
- RDS (ON) extrêmement faible
- Avalanche évalué
- Sans halogène, Produit vert
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
80A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
79W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
4200µohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits