Pagina afdrukken
FDC638APZ
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
28.965 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | 0,763 € |
| 50+ | 0,540 € |
| 100+ | 0,350 € |
| 500+ | 0,268 € |
| 1500+ | 0,235 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
3,82 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFDC638APZ
Ordercode1495226
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source On State Resistance0.043ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The FDC638APZ is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for battery power, load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 8nC typical low gate charge
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.043ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Alternatieven voor FDC638APZ
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000015
Producttraceerbaarheid