Imprimer la page
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
28.965 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 5+ | 0,763 € |
| 50+ | 0,540 € |
| 100+ | 0,350 € |
| 500+ | 0,268 € |
| 1500+ | 0,235 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,82 € (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC638APZ
Code Commande1495226
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id4.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.043ohm
Type de boîtier de transistorSuperSOT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)12V
Tension de seuil Vgs Max800mV
Dissipation de puissance1.6W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le FDC638APZ est un MOSFET, canal P spécifié à 2.5V, produit à l'aide du processus PowerTrench® avancé. Il a été spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état ON, tout en maintenant une charge de grille faible pour des performances de commutation supérieures. Il convient bien pour la charge des batteries, la commutation de charge, les circuits de charge de batteries et les applications de conversion DC-DC.
- Technologie Trench haute performance pour un avoir un RDS(on) extrêmement faible
- Faible charge de grille 8nC typique
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
4.5A
Type de boîtier de transistor
SuperSOT
Tension de test Rds(on)
12V
Dissipation de puissance
1.6W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.043ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
800mV
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDC638APZ
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000015
Traçabilité des produits