Pagina afdrukken
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFDP12N50
Ordercode3616133
ProductreeksUniFET
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id11.5A
Drain Source On State Resistance0.55ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation165W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11.5A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
165W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.55ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.1
Producttraceerbaarheid