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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDP12N50
Code Commande3616133
Gamme de produitUniFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds500V
Courant de drain Id11.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.55ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance165W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitUniFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
11.5A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
165W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.55ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
UniFET
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits