Pagina afdrukken
NVBG023N065M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 70 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-263HV (D2PAK)
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNVBG023N065M3S
Ordercode4583074
ProductreeksEliteSiC Series
Technische datasheet
789 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 12,870 € |
| 5+ | 12,110 € |
| 10+ | 11,340 € |
| 50+ | 10,580 € |
| 100+ | 9,810 € |
| 250+ | 9,500 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
12,87 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNVBG023N065M3S
Ordercode4583074
ProductreeksEliteSiC Series
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation263W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
NVBG023N065M3S is an EliteSiC 650V M3S MOSFET in a 7 pin D2PAK package. It uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include automotive on board charger and automotive DC−DC converter for EV/HEV.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 70A
- Typical RDS(on) = 23mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 153pF)
- 100% avalanche tested
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
70A
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
263W
Product Range
EliteSiC Series
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid