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NVBG023N065M3S
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 70 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG023N065M3S
Code Commande4583074
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
789 En Stock
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| 1+ | 12,870 € |
| 5+ | 12,110 € |
| 10+ | 11,340 € |
| 50+ | 10,580 € |
| 100+ | 9,810 € |
| 250+ | 9,500 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG023N065M3S
Code Commande4583074
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id70A
Tension Drain-Source Vds650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.033ohm
Type de boîtier de transistorTO-263HV (D2PAK)
Nbre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance263W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
NVBG023N065M3S is an EliteSiC 650V M3S MOSFET in a 7 pin D2PAK package. It uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include automotive on board charger and automotive DC−DC converter for EV/HEV.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 70A
- Typical RDS(on) = 23mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 153pF)
- 100% avalanche tested
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
70A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.033ohm
Nbre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
4V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
650V
Type de boîtier de transistor
TO-263HV (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
263W
Gamme de produit
EliteSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits