Pagina afdrukken
NXH35C120L2C2SG
IGBT Module, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 35 A, 1.8 V, 150 °C, DIP
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
4 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 56,590 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
56,59 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNXH35C120L2C2SG
Ordercode3464033
Technische datasheet
IGBT ConfigurationThree Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
Transistor PolaritySix N Channel
DC Collector Current35A
Continuous Collector Current35A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleDIP
No. of Pins26Pins
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
IGBT Configuration
Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
DC Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature Tj Max
150°C
No. of Pins
26Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Transistor Polarity
Six N Channel
Continuous Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
DIP
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
-
Product Range
-
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002
Producttraceerbaarheid