Pagina afdrukken
RMLV0408EGSB-4S2#HA1
SRAM, Asynchronous SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8bit, TSOP-II, 32 Pins, 2.7 V
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
995 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 10+ | 10,840 € |
| 25+ | 10,720 € |
| 50+ | 10,690 € |
| 100+ | 10,250 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Meerdere: 1
113,40 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantRENESAS
Artikelnr. fabrikantRMLV0408EGSB-4S2#HA1
Ordercode4146925RL
Technische datasheet
SRAM TypeAsynchronous SRAM, LPSRAM
Memory Size4Mbit
Memory Density4Mbit
SRAM Memory Configuration512Kword x 8bit
Supply Voltage Range2.7V to 3.6V
Memory Configuration512Kword x 8bit
IC Case / PackageTSOP-II
Memory Case StyleTSOP-II
No. of Pins32Pins
Supply Voltage Min2.7V
Access Time45ns
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
Clock Frequency Max-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
RMLV0408E series 4Mb advanced LPSRAM (512-kword × 8bit). It is a family of 4-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 8bit, fabricated by Renesas’s high-performance Advanced LPSRAM technologies. This has realized higher density, higher performance, and low power consumption. It offers low power standby power dissipation, therefore, it is suitable for battery backup systems.
- Maximum access time is 45ns, typical current consumption standby is 0.3µA
- Equal access and cycle times, common data input and output three state output
- Directly TTL compatible all inputs and outputs, battery backup operation
- Supply voltage range from 2.7 to 3.6V, input high voltage is 2.2V (min)
- Input leakage current is 1µA (max, Vin = VSS to VCC)
- Operating current is 10mA (max, CS# =VIL, others = VIH/VIL, II/O = 0mA)
- Standby current is 0.3mA (max, CS2 = VIL, others = VSS to VCC)
- Input capacitance is 8pF (max, Vin =0V, Vcc = 2.7 to 3.6V, f = 1MHz, Ta = -40 to +85°C)
- Read cycle time is 45ns (minimum)
- 32-pin plastic TSOP package, temperature range from -40 to +85°C
Technische specificaties
SRAM Type
Asynchronous SRAM, LPSRAM
Memory Density
4Mbit
Supply Voltage Range
2.7V to 3.6V
IC Case / Package
TSOP-II
No. of Pins
32Pins
Access Time
45ns
Supply Voltage Nom
3V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
Automotive Qualification Standard
-
Memory Size
4Mbit
SRAM Memory Configuration
512Kword x 8bit
Memory Configuration
512Kword x 8bit
Memory Case Style
TSOP-II
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Max
3.6V
Clock Frequency Max
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid