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RMLV0408EGSB-4S2#HA1
SRAM, SRAM, LPSRAM asynchrone, 4 Mbit, 512Kword x 8 bits, TSOP-II, 32 Broche(s), 2.7 V
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| 10+ | 10,840 € |
| 25+ | 10,720 € |
| 50+ | 10,690 € |
| 100+ | 10,250 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 10
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantRMLV0408EGSB-4S2#HA1
Code Commande4146925RL
Fiche technique
Type SRAMSRAM, LPSRAM asynchrone
Taille mémoire4Mbit
Densité de mémoire4Mbit
Configuration Mémoire SRAM512Kword x 8 bits
Configuration mémoire512Kword x 8 bits
Gamme de tension d'alimentation2.7V à 3.6V
Type de boîtier de CI mémoireTSOP-II
IC Boîtier/PaquetTSOP-II
Nbre de broches32Broche(s)
Temps d'accès45ns
Tension, alimentation min.2.7V
Tension d'alimentation Max.3.6V
Tension d'alimentation nominale3V
Fréquence d'horloge Max.-
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.85°C
Gamme de produit-
Normes Qualification Automobile-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
RMLV0408E series 4Mb advanced LPSRAM (512-kword × 8bit). It is a family of 4-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 8bit, fabricated by Renesas’s high-performance Advanced LPSRAM technologies. This has realized higher density, higher performance, and low power consumption. It offers low power standby power dissipation, therefore, it is suitable for battery backup systems.
- Maximum access time is 45ns, typical current consumption standby is 0.3µA
- Equal access and cycle times, common data input and output three state output
- Directly TTL compatible all inputs and outputs, battery backup operation
- Supply voltage range from 2.7 to 3.6V, input high voltage is 2.2V (min)
- Input leakage current is 1µA (max, Vin = VSS to VCC)
- Operating current is 10mA (max, CS# =VIL, others = VIH/VIL, II/O = 0mA)
- Standby current is 0.3mA (max, CS2 = VIL, others = VSS to VCC)
- Input capacitance is 8pF (max, Vin =0V, Vcc = 2.7 to 3.6V, f = 1MHz, Ta = -40 to +85°C)
- Read cycle time is 45ns (minimum)
- 32-pin plastic TSOP package, temperature range from -40 to +85°C
Spécifications techniques
Type SRAM
SRAM, LPSRAM asynchrone
Densité de mémoire
4Mbit
Configuration mémoire
512Kword x 8 bits
Type de boîtier de CI mémoire
TSOP-II
Nbre de broches
32Broche(s)
Tension, alimentation min.
2.7V
Tension d'alimentation nominale
3V
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
85°C
Normes Qualification Automobile
-
Taille mémoire
4Mbit
Configuration Mémoire SRAM
512Kword x 8 bits
Gamme de tension d'alimentation
2.7V à 3.6V
IC Boîtier/Paquet
TSOP-II
Temps d'accès
45ns
Tension d'alimentation Max.
3.6V
Fréquence d'horloge Max.
-
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits