Pagina afdrukken
BSM180D12P2E002
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 204 A, 1.2 kV, Module
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
Beschikbaar om te bestellen
Standaard levertijd fabrikant: 34 week(en)
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 648,400 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
648,40 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantROHM
Artikelnr. fabrikantBSM180D12P2E002
Ordercode3573220
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id204A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.36kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Productoverzicht
BSM180D12P2E002 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.6V drain source voltage (Tj= 25°C, VGS=0V, IS=180A)
- 1.6 to 4V gate-source voltage range (VDS=10V, ID=35.2mA)
- 204A drain current DC (Tc=60°C), 204A source current
- 2.2V typical static drain-source on-state voltage (Tj=25°C, ID180A, VGS=18V)
- 3.2mA maximum drain cut off current (VDS=1200V, VGS=0V)
- 0.5µA maximum gate-source leakage current (VGS=22V, VDS=0V)
- 45ns typical switching characteristics (VGS(on)=18V, VGS(off)=0V)
- Operating junction temperature range from -40 to 150°C
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
204A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
1.36kW
Product Range
-
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Japan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Japan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.28
Producttraceerbaarheid