Pagina afdrukken
SCT3060AL GC11
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
Niet langer op voorraad
Productgegevens
FabrikantROHM
Artikelnr. fabrikantSCT3060AL GC11
Ordercode2947067
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation165W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
39A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247N
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
165W
Product Range
-
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:South Korea
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:South Korea
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:N.n.b.
SVHC:To Be Advised
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.005