Pagina afdrukken
SP8K41HZGTB
Dual MOSFET, N Channel, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.09 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
2.504 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 1,200 € |
| 500+ | 0,976 € |
| 1000+ | 0,932 € |
| 5000+ | 0,794 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
125,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantROHM
Artikelnr. fabrikantSP8K41HZGTB
Ordercode3580401RL
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Continuous Drain Current Id3.4A
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.09ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.09ohm
Transistor Case StyleSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Continuous Drain Current Id
3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.09ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.09ohm
Transistor Case Style
SOP
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000149
Producttraceerbaarheid