Pagina afdrukken
SKM150GB12T4
IGBT Module, Half Bridge, 232 A, 1.8 V, 175 °C, Module
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
47 Op Voorraad
32 U kunt nu voorraad reserveren
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 128,260 € |
| 5+ | 120,890 € |
| 10+ | 113,050 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
128,26 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSEMIKRON
Artikelnr. fabrikantSKM150GB12T4
Ordercode2423687
Technische datasheet
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current232A
Continuous Collector Current232A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Productoverzicht
The SKM150GB12T4 is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders at fsw up to 20kHz. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Toepassingen
Power Management, Maintenance & Repair
Technische specificaties
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
232A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
232A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Technische documenten (2)
Alternatieven voor SKM150GB12T4
3 gevonden producten
Aanverwante producten
4 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Slovak Republic
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Slovak Republic
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.18
Producttraceerbaarheid