Pagina afdrukken
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTP45NF06
Ordercode9935630
ProductreeksSTP
Technische datasheet
755 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
Hoeveelheid | |
---|---|
1+ | 0,668 € |
10+ | 0,664 € |
100+ | 0,663 € |
500+ | 0,662 € |
1000+ | 0,661 € |
5000+ | 0,648 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
0,67 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTP45NF06
Ordercode9935630
ProductreeksSTP
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation80W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTP
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The STP45NF06 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. The device is suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-to-DC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.
- 0.022Ω RDS (ON)
- Exceptional dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Standard threshold drive
Toepassingen
Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Industrial
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
80W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STP
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Morocco
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Morocco
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002
Producttraceerbaarheid