Pagina afdrukken
SI2333DS-T1-E3
P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.1A TO-236, FUL
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
Niet langer op voorraad
Bezorgkosten: 25,00 € één keer per bestelling. Levering binnen 3 werkdagen voor artikelen die op voorraad zijn.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI2333DS-T1-E3
Ordercode2371205
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4.1A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.1A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000043