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SI2333DS-T1-E3
P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.1A TO-236, FUL
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2333DS-T1-E3
Code Commande2371205
Fiche technique
Type de canalP Channel
Tension Vds max..12V
Courant de drain Id4.1A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.032ohm
Type de boîtier de transistorTO-236
Montage transistorSurface Mount
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance1.25W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
Spécifications techniques
Type de canal
P Channel
Courant de drain Id
4.1A
Type de boîtier de transistor
TO-236
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.25W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
12V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.032ohm
Montage transistor
Surface Mount
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000043