Pagina afdrukken
SIA975DJ-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.07 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
2.666 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 0,966 € |
| 10+ | 0,593 € |
| 100+ | 0,393 € |
| 500+ | 0,303 € |
| 1000+ | 0,274 € |
| 5000+ | 0,214 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
0,97 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIA975DJ-T1-GE3
Ordercode2335392
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.07ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.07ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
SiA975DJ-T1-GE3 is a dual P-channel 12V (D-S) MOSFET. The applications include a load switch, PA switch, and battery switch for portable devices and game consoles.
- TrenchFET® power MOSFET, 100 % Rg tested
- New thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package, small footprint area, low on-resistance
- Drain-source breakdown voltage is -12V min (VGS = 0V, ID = -250μA, TJ = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from -0.4 to -1V (VDS = VGS, ID = -250μA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current is -4.5A (TJ = 150°C, TC = 25°C)
- Pulsed drain current is -15A (TA = 25°C)
- Continuous source-drain diode current is -4.5A max (TC = 25°C)
- Maximum power dissipation is 7.8W (TC = 25°C)
- Input capacitance is 1500pF typ (VDS = -6V, VGS = 0V, f = 1MHz, TC = 25°C)
- PowerPAK SC-70 package, operating junction temperature range from -55 to +150°C
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.07ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.07ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001
Producttraceerbaarheid