Pagina afdrukken
CCS050M12CM2
Silicon Carbide MOSFET, 6 Pack, Half Bridge, N Channel, 87 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, Module
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
138 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
Beschikbaar tot einde voorraad
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 391,170 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
391,17 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantWOLFSPEED
Artikelnr. fabrikantCCS050M12CM2
Ordercode2317992
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id87A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins20Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation337W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2014)
Productoverzicht
The CCS050M12CM2 is a 3-phase silicon Carbide Module with zero turn-off tail current, high frequency operation, enables compact and lightweight system, high efficiency operation. Suitable for Z-FET™ MOSFET and Z-Rec™ diode.
- Ultra low loss
- Zero reverse recovery current
- Ease of transistor gate control
- Reduced cooling requirements
- 250A Pulsed drain current
- 150°C Junction temperature
Toepassingen
Power Management, Motor Drive & Control, Alternative Energy, Medical
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
87A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
No. of Pins
20Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2014)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
337W
Product Range
-
Technische documenten (3)
Aanverwante producten
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2014)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.329308