AS7C1026B-12JCN

L'AS7C1026B-12JCN est une SRAM 5V 64K X 16 CMOS Il s'agit d'un dispositif de mémoire vive statique (SRAM) CMOS 1 048 576 bits hautes performances 5V organisé en 65 536 mots de 16 bits. Elle est conçue pour les applications de mémoire où un accès rapide aux données, une faible consommation d'énergie et une interface simple sont souhaités. Lorsque le CE actif-bas est haut, l'appareil entre en mode veille. Si les entrées basculent toujours, l'appareil consommera de l'énergie ISB. Si le bus est statique, la puissance de veille maximale est atteinte (ISB1). L'appareil fournit plusieurs broches d'alimentation centrale et de terre, ainsi que des commandes d'activation d'octets séparées, permettant l'écriture et la lecture d'octets individuels. LB actif-bas contrôle les bits inférieurs, I/O0 – I/O7 et UB actif-bas contrôle les bits supérieurs, I/O8 – I/O15. Toutes les entrées et sorties de la puce sont compatibles TTL et le fonctionnement s'effectue à partir d'une simple alimentation 5V.

• Organisation: 65 536 mots de 16 bits, temps d'accès 12ns
• Broches d'alimentation et de masse centrales pour un faible bruit
• Faible consommation 605mW/max à 10ns (active), 55mW/max CMOS I/O (standby)
• Technologie CMOS 6T 0,18u
• Extension de mémoire facile avec les entrées CE actif à l'état bas OE actif à l'état bas
• Compatible TTL, E/S trois états, boîtier standard JEDEC
• Protection ESD ≥ 2000V
• Courant Latch-up ≥ 200mA
• Boîtier SOJ, 400 mil, Plastique
• Plage de température commerciale de 0 à 70°C