ADL8150ACPZN

L'ADL8150 est un arséniure de gallium auto-polarisé (GaAs), un circuit intégré monolithique à micro-ondes (MMIC), un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) et un amplificateur à faible bruit de phase qui fonctionne de 6GHz à 14GHz. L'amplificateur fournit un gain de signal typique de 12dB, une puissance de sortie de 18dBm avec une compression de gain de 1dB (OP1 dB) et une interception de troisième ordre de sortie typique (OIP3) de 30dBm. L'amplificateur nécessite 74mA à partir d'une tension d'alimentation du collecteur de 5V. Il comporte également des entrées et des sorties (E/S) adaptées en interne à 50 ohms et facilite l'intégration dans des modules multipuces (MCM). Il est utilisé dans des applications telles que l'armée et l'espace, l'instrumentation de test, les communications, etc.

• Bruit de phase de -172dBc/Hz typique avec (offset 10KHz)
• PSAT de 22dBm typique (7GHz à 12GHz)
• Facteur de bruit de 4,8dB typique à (TA = 25°C)
• Perte d'entrée 2dB typique à (TA = 25°C)
• Perte de sortie: de 14dB typique (TA= 25°C)
• Variation de gain en fonction de la température de 0.033dB/°C typique à (TA = 25°C)
• Température d'utilisation de -40°C à +85°C
• Boîtier LFCSP, 6 broches

Remarques

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