HMC219BMS8GETR

Le HMC219B est un mélangeur ultraminiature pour un usage général à double équilibrage. Ce mélangeur de circuit intégré hyperfréquence monolithique passif (MMIC) est fabriqué selon un procédé de transistor à effet de champ à semi-conducteur métallique (MESFET) à l'arséniure de gallium (GaAs) et ne nécessite aucun composant externe ni circuit d'adaptation. Ce composant peut être utilisé comme convertisseur élévateur, convertisseur abaisseur, démodulateur biphase ou comparateur de phase de 2,5GHz à 7GHz. Il fournit une excellente isolation de l'oscillateur local (LO) à la radiofréquence (RF) et de l'isolation LO à la fréquence intermédiaire (IF) grâce à des structures balun optimisées. Il élimine le besoin de connexion par fil et il est compatible avec les techniques de fabrication cms à fort volume. Il est utilisé dans des applications telles que les radios à micro-ondes, le réseau local radio haute performance (HiperLAN) et l'infrastructure d'information nationale sans licence (U-NII), industrielle, scientifique et médicale (ISM), etc.

• Perte de conversion de 9dB typique à (TA = 25°C, IF = 100MHz)
• L'isolement entre LO et RF est de 40dB typique à (TA= 25°C, IF = 100MHz)
• L'isolement entre LO et IF est de 35dB typique à (TA= 25°C, IF = 100MHz)
• L'isolement entre RF et IF est de 22dB typique à (TA= 25°C, IF = 100MHz)
• L'entrée IP3 est de 18dBm typique à (TA = 25°C, IF = 100MHz)
• L'entrée P1dB est de 11dBm typique à (TA = 25°C, IF = 100MHz)
• L'entrée IP2 est de 55dBm typique à (TA = 25°C, IF = 100MHz)
• Topologie passive à double équilibrage
• Température d'utilisation de -40°C à +85°C
• Boîtier MINI-SO-EP, 8 broches

Remarques

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