HMC349AMS8GE

Le HMC349AMS8G est un commutateur unipolaire à double direction (SPDT) à transistor pseudomorphique à haute mobilité électronique (PHEMT) à base d'arséniure de gallium (GaAs) spécifié de 100MHz à 4GHz. Le HMC349AMS8G fonctionne avec une tension d'alimentation positive de 3V à 5V et fournit une interface de contrôle compatible CMOS/TTL. Les applications sont les infrastructures cellulaires/4G, les infrastructures sans fil, les radios mobiles et les équipements de test.

• Conception non réfléchissante, 50 ohms
• Isolation élevée de 57dB à 2GHz, faible perte d'insertion de 0,9dB à 2GHz.
• Linéarité d'entrée élevée, tenue en puissance élevée
• Compression de puissance 1dB de 28dBm typique, VDD = 3V, TCASE = -3,3V)
• Point d'interception du troisième ordre de 54dBm (typique, VDD = 3V, TCASE = 25°C)
• 33.5dBm par chemin, chemin terminé 26.5dBm
• Plage d'alimentation simple 3V à 5V
• Contrôle compatible CMOS-/TTL, échappe au contrôle d'état
• Gamme de fréquence de 0.1 à 4GHz (VDD = 3V à 5V, TCASE = 25°C)
• Boîtier MINI-SO-EP 8 broches, Plage de température de -40°C à +125°C

Remarques

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